[發(fā)布日期：2020-12-07 14:19:38] 點(diǎn)擊：
截?cái)嗑w從單晶爐里出來(lái)之后，第一步就是截掉頭尾。
直徑滾磨在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，整個(gè)晶體長(zhǎng)度中是有偏差的，晶圓制造過(guò)程中有各種各樣的晶圓固定器和自動(dòng)設(shè)備，需要嚴(yán)格的直徑控制以減少晶圓翹曲和破碎。直徑滾磨是在一個(gè)無(wú)中心的滾磨機(jī)上進(jìn)行的機(jī)械操作。
晶體定向、電導(dǎo)率和電阻率檢查要確保晶體是否達(dá)到定向和電阻率的規(guī)格要求。晶體定向是由X射線(xiàn)衍射或者平行光衍射來(lái)確定的，晶體的一端被腐蝕或拋光來(lái)去除損傷層，再將晶體安放到衍射儀上，X涉嫌或平行光反射晶體表面到成像板上，從而可以看到晶體的晶向。晶棒黏放在一個(gè)切割塊上來(lái)保證晶圓從晶體正確的晶向切割。由于晶體是經(jīng)過(guò)摻雜的，一個(gè)重要的電學(xué)性能檢查是導(dǎo)電類(lèi)型(N型或者P型)，以保證使用了正確的摻雜物。而進(jìn)入晶體的摻雜物數(shù)量由電阻率測(cè)量來(lái)確定。
滾磨定向一旦晶體在切割塊上定好晶向，就沿著軸滾磨出一個(gè)參考面，這個(gè)參考面將會(huì)在每個(gè)晶圓上出現(xiàn)，稱(chēng)之為主參考面。對(duì)于更大直徑的晶圓，在晶體上磨出一個(gè)槽用來(lái)標(biāo)識(shí)晶圓的晶向，有些情況下在晶體上磨出一個(gè)簡(jiǎn)單的凹槽來(lái)作為生產(chǎn)晶向的定位。
切片用有金剛石涂層的內(nèi)圓刀片把晶圓從晶棒上切下來(lái)，這些刀片是中心有圓孔的薄圓鋼片。對(duì)于大直徑的晶圓使用線(xiàn)切割可以保證小錐度的平整表面和最少量的刀口損失。
磨片半導(dǎo)體晶圓的表面要規(guī)則沒(méi)有切割損傷，并且要平整，平整度是小尺寸圖片絕對(duì)必須的條件，先進(jìn)的光刻工藝把所需的圖案投影到晶圓表面，如果表面不平整，將會(huì)發(fā)生扭曲。為了保證晶圓的平整度，一般分為磨片和化學(xué)機(jī)械拋光，磨片的主要目的是為了去除切片工藝殘留的表面損傷?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是以堿性?huà)伖庖涸诰A表面形成一層薄的二氧化硅，拋光墊以持續(xù)的機(jī)械摩擦來(lái)去除氧化物，這樣晶圓表面的高點(diǎn)被除掉，直到獲得特別平整的表面。
背面處理在許多情況下，晶圓的正面經(jīng)過(guò)充分的化學(xué)機(jī)械拋光，而背面留下粗糙或者腐蝕到光亮的外觀。對(duì)于某些器件的使用，背面可能會(huì)收到特殊的處理而導(dǎo)致缺陷，我們稱(chēng)之為背損傷，背損傷產(chǎn)生位錯(cuò)的生長(zhǎng)輻射進(jìn)入晶圓，這些位錯(cuò)現(xiàn)象屬于陷阱，會(huì)俘獲制造工藝中引入的可移動(dòng)金屬離子污染，我們將俘獲的過(guò)程叫吸雜。一般背面處理技術(shù)有背面噴沙，背面多晶層或氮化硅的沉淀等。
邊緣倒角和拋光邊緣倒角是使晶圓邊緣圓滑的機(jī)械工藝，應(yīng)用化學(xué)拋光進(jìn)一步加工邊緣，盡可能減少制造中的邊緣崩邊和損傷，邊緣崩邊和損傷會(huì)導(dǎo)致碎片或成為位錯(cuò)線(xiàn)的核心。晶圓在包裝之前，還需要進(jìn)行最終的評(píng)估，然后進(jìn)行表層氧化防止運(yùn)輸過(guò)程中的損傷和污染，最后進(jìn)行包裝。
晶圓壓膜
臺(tái)灣ELT科技是全球先進(jìn)制程設(shè)備制造商，其中硅片真空壓膜機(jī) 晶圓級(jí)壓膜機(jī)是8寸/12寸晶圓貼合專(zhuān)用設(shè)備，填充率高，無(wú)氣泡，高深寬比，全自動(dòng)調(diào)節(jié)溫度壓力，是晶片制程后期的高端設(shè)備。
